onsemi , 2 N型, P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 6.2 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, PowerTrench系列, FDS4897C
- RS 库存编号:
- 671-0539
- 制造商零件编号:
- FDS4897C
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- FDS4897C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 63mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 0.7V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.2A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 63mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 0.7V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是经过优化的功率开关器件，可提升系统效率与功率密度。其结合了低栅极电荷 (Qg)、低反向恢复电荷 (Qrr) 以及软反向恢复体二极管特性，有助于实现交流/直流电源中同步整流的快速切换。
最新一代 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅结构，实现电荷平衡。通过运用此项先进技术，这些器件的品质因数较前代产品显著降低。
PowerTrench® MOSFET 的软体二极管性能能够消除缓冲电路或替代更高额定电压的 MOSFET。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
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ON Semi MOSFET 通过抑制电压尖峰与过冲、降低结电容与反向恢复电荷、减少外部元件配置，提供卓越的设计可靠性，确保系统持续稳定运行更长时间。