onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 8 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列

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包装方式：
RS 库存编号:
671-0564
制造商零件编号:
FDS6375
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

8 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

SOIC

系列

PowerTrench

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

24 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

0.4V

最大功率耗散

2500 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-8 V、+8 V

长度

5mm

晶体管材料

Si

宽度

4mm

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

26 nC @ 4.5 V

每片芯片元件数目

1

高度

1.5mm

最低工作温度

-55 °C

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。