onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=12.5 A, 8针, SOIC, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 671-0605P
- 制造商零件编号:
- FDS6680A
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 625 件 (以卷装提供)*
RMB3,832.50
(不含税)
RMB4,330.63
(含税)
供应短缺
- 另外 1,845 件在 2026年10月12日 发货
我们目前的库存有限，并且我们的供应商预计会出现缺货。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 625 - 1245 | RMB6.132 |
| 1250 + | RMB5.948 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0605P
- 制造商零件编号:
- FDS6680A
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 700mV | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 12.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 10mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 700mV | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4mm | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。