onsemi , 2 N型, P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 8.6 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 671-0719P
- 制造商零件编号:
- FDS8858CZ
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
¥78.00
(不含税)
¥88.25
(含税)
供应短缺
- 4,290 件将从其他地点发货
我们目前的库存有限，并且我们的供应商预计会出现缺货。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB3.12 |
| 100 - 245 | RMB3.026 |
| 250 - 495 | RMB2.966 |
| 500 + | RMB2.906 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0719P
- 制造商零件编号:
- FDS8858CZ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 21mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 PowerTrench | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 21mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。