Name: onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 7.3 A，8.6 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列
Brand: onsemi
SKU: 671-0719P
Price: 3.53 CNY
Availability: LimitedAvailability

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N，P
	最大连续漏极电流	7.3 A，8.6 A
	最大漏源电压	30 V
	封装类型	SOIC
	系列	PowerTrench
	安装类型	贴片
	引脚数目	8
	最大漏源电阻值	17 mΩ, 21 mΩ
	通道模式	增强
	最小栅阈值电压	1V
	最大功率耗散	1600 mW
	晶体管配置	隔离式
	最大栅源电压	-25 V、-20 V、+20 V、+25 V
	晶体管材料	Si
	宽度	4mm
	典型栅极电荷@Vgs	17 nC @ 10 V，33 nC @ 10 V
	最高工作温度	+150 °C
	长度	5mm
	每片芯片元件数目	2
	最低工作温度	-55 °C
	高度	1.5mm

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N，P
	最大连续漏极电流 7.3 A，8.6 A
	最大漏源电压 30 V
	封装类型 SOIC
	系列 PowerTrench
	安装类型贴片
	引脚数目 8
	最大漏源电阻值 17 mΩ, 21 mΩ
	通道模式增强
	最小栅阈值电压 1V
	最大功率耗散 1600 mW
	晶体管配置隔离式
	最大栅源电压 -25 V、-20 V、+20 V、+25 V
	晶体管材料 Si
	宽度 4mm
	典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V，33 nC @ 10 V
	最高工作温度 +150 °C
	长度 5mm
	每片芯片元件数目 2
	最低工作温度 -55 °C
	高度 1.5mm

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管

Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

单位	每单位
25 - 95	RMB3.12
100 - 245	RMB3.026
250 - 495	RMB2.966
500 +	RMB2.906