onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 11.6 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 671-0728
- 制造商零件编号:
- FDS8880
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | RMB5.998 | RMB29.99 |
| 625 - 1245 | RMB5.816 | RMB29.08 |
| 1250 + | RMB5.644 | RMB28.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0728
- 制造商零件编号:
- FDS8880
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11.6 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11.6 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 10 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。