onsemi N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=6 A, 8针, SOIC, PowerTrench系列

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包装方式：
RS 库存编号:
671-0747
Distrelec 货号:
304-43-728
制造商零件编号:
FDS8949
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

PowerTrench

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

29mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.8V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.7nC

最大功耗 Pd

2W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

汽车双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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