onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=33 A, 3针, TO-263, QFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB26.94

(不含税)

RMB30.44

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
供应短缺
  • 14 件将从其他地点发货
  • 另外 2,724 件在 2026年10月05日 发货
我们目前的库存有限，并且我们的供应商预计会出现缺货。

单位
每单位
1 - 199RMB26.94
200 - 399RMB26.14
400 +RMB25.34

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
671-0891
制造商零件编号:
FQB34P10TM
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

33A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

QFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

85nC

最大功耗 Pd

3.75W

正向电压 Vf

-4V

最大栅源电压 Vgs

-25V, +25V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

高度

4.83mm

汽车标准

否

汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

相关链接