onsemi , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 3.9 A, TO-263, 3引脚, QFET系列, FQB4N80TM
- RS 库存编号:
- 671-0908
- 制造商零件编号:
- FQB4N80TM
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 671-0908
- 制造商零件编号:
- FQB4N80TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | QFET | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.6Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 3.13W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.9A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 QFET | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.6Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 3.13W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
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