onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 9 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, QFET系列
- RS 库存编号:
- 671-0942P
- 制造商零件编号:
- FQD12N20LTM
- 制造商:
- onsemi
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | QFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 280mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 QFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 280mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
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Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
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