onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 9.4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, FQD11P06TM, QFET系列
- RS 库存编号:
- 671-0949
- 制造商零件编号:
- FQD11P06TM
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB9.542 | RMB47.71 |
| 25 - 95 | RMB9.30 | RMB46.50 |
| 100 - 245 | RMB9.066 | RMB45.33 |
| 250 - 1245 | RMB8.838 | RMB44.19 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0949
- 制造商零件编号:
- FQD11P06TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | QFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 185mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -4V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9.4A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 QFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 185mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -4V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.6mm | ||
宽度 6.1 mm | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
增强模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor
在半导体方面， P 通道 MOSFET 采用半导体专有的高细胞密度 DMOS 技术制造。这种非常高密度的过程旨在最大限度地减少状态电阻，从而为快速交换提供坚固可靠的性能。
特点和优势：
•电压控制的 P 通道小信号开关
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术
应用：
•负载切换
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。