onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 0.3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, FQN1N60CTA, QFET系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥22.19

(不含税)

¥25.07

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 100 个,准备发货
单位
每单位
每包*
10 - 40RMB2.219RMB22.19
50 - 90RMB2.152RMB21.52
100 - 240RMB2.087RMB20.87
250 - 490RMB2.026RMB20.26
500 +RMB1.963RMB19.63

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
671-1046
制造商零件编号:
FQN1N60CTA
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.3A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

QFET

包装类型

TO-92

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11.5Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.8nC

正向电压 Vf

1.4V

最大功耗 Pd

3W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

高度

5.33mm

标准/认证

No

宽度

4.19 mm

长度

5.2mm

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。

它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合,包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。