onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, QFET系列

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制造商零件编号:
FQT5P10TF
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

1A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

QFET

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1.05Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.3nC

正向电压 Vf

-4V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

2W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.56 mm

高度

1.6mm

标准/认证

No

长度

6.5mm

汽车标准

Fairchild Semiconductor QFET® P 通道 MOSFET


Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供出色的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。

它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比同类平面 MOSFET 设备更高的性能系数 (FOM)。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合,包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。