onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=500 V, 19 A, TO-3PN封装, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 671-4777
- 制造商零件编号:
- FDA18N50
- 制造商:
- onsemi
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- FDA18N50
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 19 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 265 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 239 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 宽度 | 5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 系列 | UniFET | |
| 高度 | 18.9mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 19 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
封装类型 TO-3PN | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 265 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 239 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
宽度 5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 15.8mm | ||
系列 UniFET | ||
高度 18.9mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||