onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 75 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, UniFET系列
- RS 库存编号:
- 671-4862P
- 制造商零件编号:
- FDP75N08A
- 制造商:
- onsemi
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- FDP75N08A
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 系列 | UniFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11mΩ | |
| 最大漏源电阻值 | 11 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 137000 mW | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 137W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
最大漏源电压 75 V | ||
系列 UniFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 11mΩ | ||
最大漏源电阻值 11 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 137000 mW | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 137W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.83mm | ||
高度 9.4mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。