onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 10 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, QFET系列
- RS 库存编号:
- 671-5225
- 制造商零件编号:
- FQPF13N06L
- 制造商:
- onsemi
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- FQPF13N06L
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 24000 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.8 nC @ 5 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 高度 | 9.19mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
系列 QFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 110 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 24000 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 5 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.16mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.7mm | ||
高度 9.19mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||