STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 35 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD35NF06LT4, STripFET II系列

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RS 库存编号:
687-5103
制造商零件编号:
STD35NF06LT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

35A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

STripFET II

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

17mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

80W

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

15 V

最高工作温度

175°C

长度

6.6mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics