STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=900 V, 5.8 A, TO-263, 表面安装, 3引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
687-5140P
制造商零件编号:
STB6NK90ZT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.8A

最大漏源电压 Vd

900V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

最大功耗 Pd

140W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46.5nC

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35 mm

汽车标准

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics