STMicroelectronics N沟道增强型SuperMESH功率MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-263, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 687-5190P
- 制造商零件编号:
- STB4NK60ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 687-5190P
- 制造商零件编号:
- STB4NK60ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | SuperMESH功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -30V, +30V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 标准/认证 | JEDEC JESD97 | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 SuperMESH功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SuperMESH | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
最大栅源电压 Vgs -30V, +30V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.8nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 9.35mm | ||
标准/认证 JEDEC JESD97 | ||
高度 4.6mm | ||
汽车标准 否 | ||