STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 40 A, ISOTOP, 面板安装, 4引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
687-5226P
制造商零件编号:
STE40NC60
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

ISOTOP

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±30 V

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

460W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

307.5nC

最低工作温度

-65°C

最高工作温度

150°C

长度

38.2mm

高度

9.1mm

标准/认证

No

宽度

25.5 mm

汽车标准

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics