STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

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包装方式：
RS 库存编号:
687-5235
制造商零件编号:
STP11NM80
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

MDmesh

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

400mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

150W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43.6nC

最低工作温度

-65°C

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

正向电压 Vf

860mV

最高工作温度

150°C

宽度

4.6mm

标准/认证

No

长度

10.4mm

高度

9.15mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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