STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1 kV, Id=3.5 A, 3针, TO-220, MDmesh, SuperMESH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
687-5327
制造商零件编号:
STP5NK100Z
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

1kV

包装类型

TO-220

系列

MDmesh, SuperMESH

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.7Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最大功耗 Pd

125W

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

高度

9.15mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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