STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=900 V, Id=5.8 A, 3针, TO-220, MDmesh, SuperMESH系列

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包装方式:
RS 库存编号:
687-5336P
制造商零件编号:
STP6NK90ZFP
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

5.8A

最大漏源电压 Vd

900V

系列

MDmesh, SuperMESH

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46.5nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

30W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

高度

9.3mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


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