STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=2.5 A, 3针, IPAK, MDmesh, SuperMESH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
687-5352
制造商零件编号:
STD3NK80Z-1
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

MDmesh, SuperMESH

包装类型

IPAK

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.5Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

70W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19nC

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

宽度

2.4mm

长度

6.6mm

标准/认证

No

高度

6.2mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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