Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 36 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 2 件)*

¥14.74

(不含税)

¥16.66

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 42 件在 2025年12月24日 发货
  • 另外 1,000 件在 2026年2月12日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
2 - 8RMB7.37RMB14.74
10 +RMB7.185RMB14.37

* 参考价格

RS 库存编号:
688-6872
制造商零件编号:
IRF540ZPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

27mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最大功耗 Pd

92W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

10.54mm

标准/认证

No

高度

8.77mm

宽度

4.69 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,36A 最大连续漏极电流,100V 最大漏极源电压 - IRF540ZPBF


这款 MOSFET 专为在各种电子应用中提供高性能而设计。其最大连续漏极电流为 36A,漏极-源极电压为 100V,采用 TO-220AB 封装,可确保有效散热和稳定性。这款 N 沟道器件的最大功率耗散额定值为 92 瓦,特别适用于电气和机械行业的苛刻任务。

特点和优势


• 采用 HEXFET 技术,提高效率

• 26.5mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了功率损耗

• 切换速度快,提高了运行效率

• 支持增强模式,性能可靠

• 专为应对反复雪崩情况而设计

应用


• 用于电机控制和电源管理

• 开关电源和转换器的理想选择

• 适用于要求高效率的汽车

• 在工业自动化系统中实施

• 适用于需要强大性能的电子设备

Rds(on) 评级低对其性能有何影响?


较低的 Rds(on)额定值可减少传导损耗,从而提高运行效率。它可以改善热性能,这在大电流应用中至关重要。

最大漏极-源极电压对运行可靠性有何影响?


100V 的漏极-源极额定电压为应用提供了很大的安全裕度,确保在不同电压条件下可靠运行,从而防止击穿。

这种 MOSFET 能否应对高温环境?


它的最高工作温度为 175°C,可在高温条件下可靠运行,适用于汽车和工业应用中极具挑战性的环境。