Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 36 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 688-6872
- 制造商零件编号:
- IRF540ZPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 包,共 2 件)*
¥14.74
(不含税)
¥16.66
(含税)
暂时缺货
- 42 件在 2025年12月24日 发货
- 另外 1,000 件在 2026年2月12日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB7.37 | RMB14.74 |
| 10 + | RMB7.185 | RMB14.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6872
- 制造商零件编号:
- IRF540ZPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最大功耗 Pd | 92W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 宽度 | 4.69 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
最大功耗 Pd 92W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.54mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 8.77mm | ||
宽度 4.69 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET 系列 MOSFET,36A 最大连续漏极电流,100V 最大漏极源电压 - IRF540ZPBF
这款 MOSFET 专为在各种电子应用中提供高性能而设计。其最大连续漏极电流为 36A,漏极-源极电压为 100V,采用 TO-220AB 封装,可确保有效散热和稳定性。这款 N 沟道器件的最大功率耗散额定值为 92 瓦,特别适用于电气和机械行业的苛刻任务。
特点和优势
• 采用 HEXFET 技术,提高效率
• 26.5mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了功率损耗
• 切换速度快,提高了运行效率
• 支持增强模式,性能可靠
• 专为应对反复雪崩情况而设计
应用
• 用于电机控制和电源管理
• 开关电源和转换器的理想选择
• 适用于要求高效率的汽车
• 在工业自动化系统中实施
• 适用于需要强大性能的电子设备
Rds(on) 评级低对其性能有何影响?
较低的 Rds(on)额定值可减少传导损耗,从而提高运行效率。它可以改善热性能,这在大电流应用中至关重要。
最大漏极-源极电压对运行可靠性有何影响?
100V 的漏极-源极额定电压为应用提供了很大的安全裕度,确保在不同电压条件下可靠运行,从而防止击穿。
这种 MOSFET 能否应对高温环境?
它的最高工作温度为 175°C,可在高温条件下可靠运行,适用于汽车和工业应用中极具挑战性的环境。
