Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 76 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 688-6936
- 制造商零件编号:
- IRFB4127PBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 18 | RMB13.02 | RMB26.04 |
| 20 - 38 | RMB12.785 | RMB25.57 |
| 40 + | RMB12.535 | RMB25.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6936
- 制造商零件编号:
- IRFB4127PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 76 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 20 MΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 375000 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 76 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 20 MΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 375000 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.83mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V | ||
长度 10.67mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 9.02mm | ||
Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化后具有低导通电阻 RDS(on)和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。
工业标准通孔电源封装
高额定电流
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于以下切换应用 <100 kHz
与之前的硅一代相比，主体二极管更柔软
提供广泛的产品组合