Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=18 A, 3针, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 688-6939P
- 制造商零件编号:
- IRFB4020PBF
- 制造商:
- Infineon
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 100mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 100mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.66mm | ||
高度 9.02mm | ||
宽度 4.82mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET系列 MOSFET，200V最大漏源电压，18A最大连续漏极电流 - IRFB4020PBF
这款 MOSFET 是一款功率开关晶体管，专为需要卓越热耐受能力的高压、大电流应用而设计。它以N沟道增强型器件的形式工作，采用通孔TO-220封装，为宽温度范围内的分立式功率级和板载开关电路提供实用的解决方案。
特性和优点：
• 200V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 18A 连续漏极电流支持大负载电流
• 100W功耗可实现更高的功率处理能力
• 100mΩ导通电阻，可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 典型栅极电荷为18nC，可实现更快的开关转换
• 1.3V正向电压可降低恢复期间的二极管导通压降
• 18A 连续漏极电流支持大负载电流
• 100W功耗可实现更高的功率处理能力
• 100mΩ导通电阻，可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 典型栅极电荷为18nC，可实现更快的开关转换
• 1.3V正向电压可降低恢复期间的二极管导通压降
应用
• 适用于电机驱动半桥级
• 适用于离线开关模式电源
• 与需要通孔安装的电源转换器配合使用
• 可用于高压继电器和电磁阀驱动器
• 适用于实验室原型开发及工作台电源实验
• 适用于离线开关模式电源
• 与需要通孔安装的电源转换器配合使用
• 可用于高压继电器和电磁阀驱动器
• 适用于实验室原型开发及工作台电源实验
设计人员在安全操作时应该遵守哪些栅极电压限制？
为避免损坏栅氧化层并保持可靠的开关特性，栅源电压不得超过±20V。
该器件在极端温度下的性能表现如何？
其额定工作温度范围为-55°C至175°C，可在具有较大温差的环境中使用，同时保持规定的电气特性。
哪些封装因素会影响PCB布局和冷却？
TO-220 通孔外形提供单个绝缘安装插片，并允许直接连接至电子散热器或机箱以改进热管理。
体二极管对开关拓扑选择有何影响？
在具有反向恢复事件的设计中，应考虑具有 1.3V 正向压降的本征二极管，以管理耗散并确定缓冲器要求。