Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=25 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

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688-6973
制造商零件编号:
IRFB5620PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

73mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

14W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

高度

9.02mm

长度

10.67mm

标准/认证

No

宽度

4.83mm

汽车标准

否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，200V 最大漏源电压，25A 最大连续漏极电流 - IRFB5620PBF


这款 MOSFET 是一款高压 N 通道半导体开关，专为通孔电源应用而设计。它作为增强模式设备运行，适用于苛刻环境中的开关和放大任务，并采用 TO-220 封装，便于直接安装和散热。

特性和优点：


• 200V 漏极电压支持高压开关
• 25A 连续漏极电流可实现稳健的负载处理
• 73mΩ Rds(on) 可减少电源电路中的传导损耗
• 25nC 栅极电荷支持可控的开关速度
• 14W 功耗，支持中等热负载
• 栅极容差高达 20V，可防止过驱动事件

应用


• 适用于高压电机驱动级
• 非常适合工业设备的开关模式电源
• 用于电源转换中的逆变器桥臂切换
• 可用于音频放大器输出级
• 适用于通孔板上的通用电源开关

它在运行过程中可耐受哪些极端温度？


其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在宽热范围内使用。

封装对安装和热管理有何影响？


TO-220 通孔封装可简化与散热器和 PCB 的连接，从而实现有效散热。

驱动时应遵守哪些栅极电压限制？


最大栅源额定电压为 20V，因此栅极驱动器应保持在此阈值范围内。

其通道类型对电路设计有何影响？


作为一种 N 通道增强模式设备，它需要正向栅源电压进行传导，在适当驱动的情况下，该电压适用于低边和高边开关拓扑结构。

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