Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 200 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 688-6989P
- 制造商零件编号:
- IRFP3206PBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRFP3206PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 120nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 280W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 宽度 | 5.31 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-35-445 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 200A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 120nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 280W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87mm | ||
高度 20.7mm | ||
宽度 5.31 mm | ||
Distrelec Product Id 304-35-445 | ||
汽车标准 否 | ||
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。