Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 171 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
688-7018
Distrelec 货号:
302-84-053
制造商零件编号:
IRFP4568PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

171 A

最大漏源电压

150 V

系列

HEXFET

封装类型

TO-247AC

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

6 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

517000 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

151 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

长度

15.87mm

宽度

5.31mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

高度

20.7mm

最低工作温度

-55 °C

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，171A 最大连续漏极电流，517W 最大功率耗散 - IRFP4568PBF


这款 N 沟道 MOSFET 专为在各种电子电路中实现高效率和一致的性能而设计。其强大的功能可满足电源管理和开关应用的需要。TO-247AC 封装便于进行有效的热管理，并简化了通孔配置的安装。

特点和优势


• 增强的体二极管恢复特性提高了可靠性

• 低导通电阻最大限度地减少了运行过程中的功率损耗

• 517 W 的最大功率耗散能力可满足高需求应用。

• 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C ）确保了在各种环境下的功能性。

• 出色的栅极阈值电压优化了开关操作过程中的性能。

• 单晶体管配置简化了电路设计，便于使用

应用


• 高效同步整流

• 不间断电源，提供可靠的后备电源

• 高速功率开关电路

• 适用于硬开关和高频开关

该设备可支持的最大连续漏极电流是多少？


在最佳条件下，该器件的最大连续漏极电流可达 171 A。

设备在运行过程中如何控制热量？


该器件的最大功率耗散为 517W，可有效处理运行过程中产生的热量。

一般的登机口收费要求是什么？


栅极到源极电压为 10 V 时，典型的栅极电荷约为 151 nC，从而确保了高效的开关性能。

它能承受极端的温度变化吗？


是的，它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合各种环境条件。

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon


电动机控制 MOSFET


Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET


同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。