Name: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 130 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 688-7027
Price: 33.97 CNY
Availability: InStock

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	130 A
	最大漏源电压	200 V
	封装类型	TO-247AC
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	10 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	5V
	最小栅阈值电压	3V
	最大功率耗散	520000 mW
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-30 V、+30 V
	长度	15.87mm
	最高工作温度	+175 °C
	典型栅极电荷@Vgs	161 nC @ 10 V
	宽度	5.31mm
	晶体管材料	Si
	每片芯片元件数目	1
	高度	20.7mm
	正向二极管电压	1.3V
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 130 A
	最大漏源电压 200 V
	封装类型 TO-247AC
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 10 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 5V
	最小栅阈值电压 3V
	最大功率耗散 520000 mW
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -30 V、+30 V
	长度 15.87mm
	最高工作温度 +175 °C
	典型栅极电荷@Vgs 161 nC @ 10 V
	宽度 5.31mm
	晶体管材料 Si
	每片芯片元件数目 1
	高度 20.7mm
	正向二极管电压 1.3V
	最低工作温度 -55 °C

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，130A 最大连续漏极电流，200V 最大漏极源极电压 - IRFP4668PBF

这款 MOSFET 是一款高性能 N 沟道器件，专为各种应用中的高效电源管理而设计。其尺寸为长 15.87 毫米、宽 5.31 毫米、高 20.7 毫米，采用 TO-247AC 封装。该产品规格坚固，包括 130A 的最大连续漏极电流和 200V 的最大漏极-源极电压，是要求苛刻的电气应用的理想之选。

特点和优势

• 增强型体二极管可提高开关性能
• 10mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了功率损耗
• 同步整流电路的高效率
• 在动态 dV/dt 条件下更加坚固耐用
• 全面鉴定雪崩和热性能，确保可靠性

应用

• 用于高速电源开关
• 适用于不间断供电系统
• 硬开关和高频电路的理想选择
• 适用于各种自动化和工业动力系统

安全运行的热额定值是多少？

25°C 时的最大功率耗散为 520W，结温不应超过 175°C，以确保安全运行。

栅极阈值电压对功能有何影响？

栅极阈值电压范围为 3V 至 5V，便于在开关操作期间进行有效控制，这对功率应用中的可靠性能至关重要。

这种 MOSFET 能否处理高脉冲电流负载？

是的，它的额定脉冲漏极电流高达 520A，适合需要高电流处理能力的重型应用。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位
1 - 6	RMB30.06
7 +	RMB29.43