Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 130 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP4668PBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 688-7027P
- 制造商零件编号:
- IRFP4668PBF
- 制造商:
- Infineon
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 130A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 161nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 520W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.31 mm | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 130A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 161nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 520W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.31 mm | ||
高度 20.7mm | ||
长度 15.87mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，130A 最大连续漏极电流，200V 最大漏极源极电压 - IRFP4668PBF
这款 MOSFET 是一款高性能 N 沟道器件，专为各种应用中的高效电源管理而设计。其尺寸为长 15.87 毫米、宽 5.31 毫米、高 20.7 毫米，采用 TO-247AC 封装。该产品规格坚固，包括 130A 的最大连续漏极电流和 200V 的最大漏极-源极电压，是要求苛刻的电气应用的理想之选。
特点和优势
• 增强型体二极管可提高开关性能
• 10mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了功率损耗
• 同步整流电路的高效率
• 在动态 dV/dt 条件下更加坚固耐用
• 全面鉴定雪崩和热性能，确保可靠性
应用
• 用于高速电源开关
• 适用于不间断供电系统
• 硬开关和高频电路的理想选择
• 适用于各种自动化和工业动力系统
安全运行的热额定值是多少？
25°C 时的最大功率耗散为 520W，结温不应超过 175°C，以确保安全运行。
栅极阈值电压对功能有何影响？
栅极阈值电压范围为 3V 至 5V，便于在开关操作期间进行有效控制，这对功率应用中的可靠性能至关重要。
这种 MOSFET 能否处理高脉冲电流负载？
是的，它的额定脉冲漏极电流高达 520A，适合需要高电流处理能力的重型应用。