Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 343 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 688-7204
制造商零件编号:: IRLB3034PBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 343 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

可享批量折扣

小计（1 包，共 2 件）*

¥33.60

(不含税)

¥37.96

有库存

32 件将从其他地点发货
另外 136 件在 2025年12月22日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
2 - 12	RMB16.80	RMB33.60
14 +	RMB16.295	RMB32.59

* 参考价格

RS 库存编号:: 688-7204
制造商零件编号:: IRLB3034PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品概述和技术数据表

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	343A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	108nC
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	375W
	最高工作温度	175°C
	宽度	4.83 mm
	长度	10.67mm
	高度	9.02mm
	标准/认证	No
	Distrelec Product Id	304-43-457
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 343A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 375W
	最高工作温度 175°C
	宽度 4.83 mm
	长度 10.67mm
	高度 9.02mm
	标准/认证 No
	Distrelec Product Id 304-43-457
	汽车标准否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，343A 最大连续漏极电流，40V 最大漏极源极电压 - IRLB3034PBF

这款高性能 MOSFET 专为自动化和电子领域的高要求应用而设计。它采用增强模式配置，最大漏极-源极电压为 40V，可确保在各种条件下可靠运行。TO-220AB 封装类型便于安装，适合各种设计。长 10.67 毫米、宽 4.83 毫米、高 9.02 毫米的紧凑尺寸进一步增强了其多功能性。

特点和优势

• 可处理 343A 的最大连续漏极电流

• 针对逻辑电平驱动进行了优化，以简化控制

• 专为满足高速电源开关要求而设计

• 工作温度范围宽广，从 -55°C 至 +175°C

• 1V 至 2.5V 的卓越栅极阈值有利于低压操作

应用

• 直流电机驱动系统的理想选择

• 用于高效同步整流装置

• 适用于不间断电源

• 适用于硬开关和高频电路

该元件的最大功率耗散能力是多少？

在最佳条件下，该器件的耗散功率可达 375W，可在要求苛刻的应用中管理巨大的热负荷。

低 RDS(on) 对性能有何影响？

2mΩ 的低导通电阻降低了能量损耗，实现了更高的效率和更低的运行温度，这对大电流应用至关重要。

这种 MOSFET 可用于自动化系统吗？

是的，由于其电流容量大、开关性能可靠，因此非常适合各种自动化应用，可提高效率和控制能力。

该组件提供哪些安装选项？

它采用通孔安装方式，可简化与各种电路设计的集成，同时确保安全连接。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 343 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列