onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=15.5 A, 3针, TO-252
- RS 库存编号:
- 688-9124P
- 制造商零件编号:
- NTD20P06LT4G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 38 | RMB6.82 |
| 40 - 98 | RMB6.605 |
| 100 - 198 | RMB6.41 |
| 200 + | RMB6.215 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-9124P
- 制造商零件编号:
- NTD20P06LT4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 15.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 15.5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22mm | ||
高度 2.38mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||