onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.6 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
688-9130P
制造商零件编号:
NTF2955T1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.6 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOT-223

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

185 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最大功率耗散

2300 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

典型栅极电荷@Vgs

14.3 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

高度

1.57mm

最低工作温度

-55 °C

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor