onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 1 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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RS 库存编号:
688-9143
制造商零件编号:
NTR1P02T1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

1 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

SOT-23

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

180 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.3V

最大功率耗散

400 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

2.5 nC @ 5 V

每片芯片元件数目

1

长度

2.9mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

宽度

1.3mm

最低工作温度

-55 °C

高度

0.94mm

P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor