制造商编号

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=4 A, 4针, SOT-223, ZXMN10A25G系列

RS 库存编号:: 708-2551
制造商零件编号:: ZXMN10A25GTA
制造商:: DiodesZetex

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=4 A, 4针, SOT-223, ZXMN10A25G系列

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RS 库存编号:: 708-2551
制造商零件编号:: ZXMN10A25GTA
制造商:: DiodesZetex

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	DiodesZetex
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	ZXMN10A25G
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	125mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	3.9W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	17nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	850mV
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	3.7mm
	长度	6.7mm
	高度	1.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 DiodesZetex
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 ZXMN10A25G
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 125mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 3.9W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 850mV
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 3.7mm
	长度 6.7mm
	高度 1.8mm
	汽车标准否

N 通道 MOSFET，100V 至 950V，Diodes Inc

MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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