DiodesZetex , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 4.8 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, ZXMP6A18DN8TA
- RS 库存编号:
- 708-2554P
- 制造商零件编号:
- ZXMP6A18DN8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计 125 件 (按连续条带形式提供)*
¥1,762.50
(不含税)
¥1,991.25
(含税)
有库存
- 1,940 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 245 | RMB14.10 |
| 250 + | RMB13.678 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 708-2554P
- 制造商零件编号:
- ZXMP6A18DN8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -0.85V | |
| 最大功耗 Pd | 2.1W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 标准/认证 | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -0.85V | ||
最大功耗 Pd 2.1W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 150°C | ||
最高工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
标准/认证 RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
长度 5mm | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||