Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 8 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF840SPBF, IRF840S系列

小计(1 包,共 5 件)*

RMB45.04

(不含税)

RMB50.895

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 70 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 +RMB9.008RMB45.04

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
708-4752
Distrelec 货号:
304-36-067
制造商零件编号:
IRF840SPBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-263

系列

IRF840S

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

850mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2V

最大功耗 Pd

125W

最高工作温度

150°C

长度

10.41mm

高度

4.83mm

标准/认证

RoHS

宽度

9.65mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRF840S 系列功率 MOSFET,500 V 漏源电压,8 A 最大连续漏电流 - IRF840SPBF


此功率 MOSFET 是表面贴装 N 通道设备,设计用于工业电子产品的开关和高压应用。它具有高排放源电压额定值,适用于需要稳健功率处理和高耐温性的应用。该设备适用于在自动化和电气设备中的现代板和系统上进行组装。

特性和优点:


• 500V 排放源额定值,可实现高电压切换能力 • 8A 连续漏电流,支持中等电流负载 • 850 mΩ Rds(on),可最大程度地减少低负荷电路中的传导损耗 • 63nC 典型栅极电荷,可满足可预测的驱动要求 • 125W 功耗,可在额定条件下进行大量热处理 • 20V 最大栅极-源电压,可防止过度驱动电压

应用


• 适用于需要高压开关的工业电机驱动前端 • 适用于处理高线路电压的开关模式电源 • 用于商业安装中的电子镇流器和照明控制 • 可用于自动化控制器的电源转换阶段 • 与预期接线温度较高的热管理系统配合使用

该设备在 PCB 上需要哪种安装方式?


它采用 TO-263 表面贴装封装,需要具有散热功能的 PCB 封装和焊接以实现热传导。

在恶劣环境中,它能在什么温度范围内运行?


该组件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,支持高温应用。

电路集成有多少电气连接?


它具有三个用于栅极、排放和源连接的引脚,适用于标准 MOSFET 控制方案。

它是否适合用作直接的汽车级替代品?


尽管未指定汽车标准,但其电气额定值可能与不必获得汽车认证的某些更换需求相匹配。