Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=8 A, 3针, TO-263, IRF840S系列

RS 库存编号:: 708-4752P
制造商零件编号:: IRF840SPBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=8 A, 3针, TO-263, IRF840S系列

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RS 库存编号:: 708-4752P
制造商零件编号:: IRF840SPBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	8A
	最大漏源电压 Vd	500V
	包装类型	TO-263
	系列	IRF840S
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	850mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	125W
	正向电压 Vf	2V
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最高工作温度	150°C
	高度	4.83mm
	长度	10.41mm
	宽度	9.65mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 8A
	最大漏源电压 Vd 500V
	包装类型 TO-263
	系列 IRF840S
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 850mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 125W
	正向电压 Vf 2V
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最高工作温度 150°C
	高度 4.83mm
	长度 10.41mm
	宽度 9.65mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRF840S 系列功率 MOSFET，500V 漏源电压，125W 最大功耗 - IRF840SPBF

该功率MOSFET是一款高压N沟道开关器件，专为电源转换与控制系统中的表面贴装应用而设计。它可在宽温范围内运行，适用于需要稳健电压处理能力和适中电流能力的场合，例如工业电源和高电压开关级应用。

特性和优点：

• 500V 漏源额定值可实现高压开关
• 8A连续漏极电流，支持持续负载电流
• 125W功耗，支持高功率处理
• 850mΩ导通电阻，降低了工作电流条件下的导通损耗
• 63nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能
• 20V的栅源极限制，提供宽广的栅极驱动裕量

应用

• 适用于高压电源开关级应用
• 适合电机驱动变频器的前端应用
• 用于工业设备的升压转换器拓扑结构
• 可用于开关模式电源整流模块
• 适用于测试设备的高压负载切换

可靠组装需要采用哪种安装方法？

它采用TO-263封装，配置为表面贴装PCB连接，支持回流焊，并能与PCB铜箔区域实现热连接。

该器件在极端温度下的性能表现如何？

该器件的结温额定工作范围为 -55°C 至 150°C，可用于环境温度和热条件剧烈波动的环境。

必须注意哪些栅极驱动限制？

栅源电压不得超过20V，以防止器件损坏，因此栅极驱动电路应包含适当的钳位或电平控制。

该零件是否有汽车行业认证？

它未标明符合汽车行业标准，因此不应将其视为适用于车辆安全应用的车规级产品。