Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=100 V, 5.6 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF510PBF, IRF510系列

RS 库存编号:: 708-5134P
制造商零件编号:: IRF510PBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=100 V, 5.6 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF510PBF, IRF510系列

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	5.6A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	IRF510
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	540mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	2.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8.3nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	43W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	高度	9.01mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	4.7mm
	长度	10.41mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 5.6A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 IRF510
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 540mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 2.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.3nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 43W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	高度 9.01mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 4.7mm
	长度 10.41mm
	汽车标准否

Vishay IRF510系列功率MOSFET,100 V最大漏源电压,5.6 A最大连续漏电流 - IRF510PBF

这款功率 MOSFET 是一款通孔 N 通道增强装置,专为工业和电子系统中的开关和放大任务而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要中等电流处理和高电压阻断能力的应用,采用TO‐220AB封装。

特性和优点：

• 100 V 漏源额定值,具有高电压切换能力 • 5.6A连续漏电流,可适度处理负载 • 540 mΩ Rds(on),可限制负载下的传导损耗 • 43W 功耗,支持组件中的散热空间 • 20V 栅极-源极限允许灵活的驱动电压 • 8.3nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关配置

应用

• 适用于自动化设备的电机驱动器级别 • 实验室电源电源开关的理想之选 • 用于测试和测量架中的负载切换 • 可用于控制系统中的模拟放大器输出

它能在恶劣环境中承受的工作温度是多少?

它的工作温度范围为-55°C至175°C,可在严苛的温度条件下使用。

该设备的机械和热稳定性安装方式如何?

它采用 TO‐220AB 封装的通孔安装,可实现牢固的 PCB 紧固和简单的散热。

哪些栅极驱动因素会影响开关性能?

在额定 Vgs 时,典型栅极电荷为 8.3nC,影响驱动电流要求和开关速度妥协。

配接散热器时应考虑哪些因素?

具有 43W 最大耗散功率、散热器热阻和气流必须调整尺寸,以保持接点温度在限制范围内。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=100 V, 5.6 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF510PBF, IRF510系列

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