Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-60 V, 1.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2309CDS-T1-GE3, Si2309CDS系列
- RS 库存编号:
- 710-3250
- 制造商零件编号:
- SI2309CDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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- 制造商零件编号:
- SI2309CDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | -60V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | Si2309CDS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 345mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.2A | ||
最大漏源电压 Vd -60V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 Si2309CDS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 345mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 1.4mm | ||
高度 1.02mm | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Si2309CDS 系列 MOSFET,-60 V 漏源电压,1.2 A 连续漏电流 - SI2309CDS-T1-GE3
此 p 通道 MOSFET 是表面贴装晶体管,设计用于紧凑型电子组件中的开关和控制任务。它可用作增强模式设备,适用于低至中等电流电路,在电压处理和耐热性之间实现平衡,适用于工业应用。
特性和优点：
• -60V 最大 Vds,用于高电压切换能力 • 1.2A连续漏电流,可适度处理负载 • 345 mΩ Rds(on),可预测传导损耗 • 2.7nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动 • 1.7W 功耗支持热预算规划 • -55°C 至 150°C 工作温度范围,适用于宽温度环境
应用
• 适用于自动化控制模块的负载切换 • 适用于电源导轨反极性保护电路 • 与电池管理和配电板配合使用 • 可用于电平转换和小信号功率级
紧凑型板布局使用哪种封装类型?
它采用SOT‐23封装,配置用于三针表面安装,便于密集的PCB组装。
该设备如何满足栅极驱动要求?
栅极可与电源相比在 ±20V 范围内驱动,从而兼容常见控制电压,同时限制栅极应力。
在设计中,我应该考虑哪些热因素?
最大功耗为 1.7 W,应设计板铜和热通道尺寸,以在 -55°C 至 150°C 指定范围内管理负载状态下的接线温度。
是否有环境或材料限制需要注意?
该组件符合 RoHS 要求,表明其制造过程中有限危险物质受到控制。