Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-150 V, -530 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2325DS-T1-E3, Si2325DS系列
- RS 库存编号:
- 710-3263
- 制造商零件编号:
- SI2325DS-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 710-3263
- 制造商零件编号:
- SI2325DS-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -530mA | |
| 最大漏源电压 Vd | -150V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | Si2325DS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| 最大功耗 Pd | 750mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -530mA | ||
最大漏源电压 Vd -150V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 Si2325DS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.7nC | ||
最大功耗 Pd 750mW | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si2325DS 系列 MOSFET,-150 V 最大漏源电压,1.2 Ω 最大漏源电阻 - SI2325DS-T1-E3
这款 p 通道 MOSFET 是表面贴装半导体设备,专为紧凑型组件中的高电压开关和控制而设计。它可用作增强模式晶体管,适用于需要反极性或高侧开关的应用,并在小型外形 SOT-23 封装中实现低功耗的优化。该设备可在宽温度范围内运行,适用于各种工业电子环境。
特性和优点：
• 最大漏源电压支持 150 V 应用 • 漏源电阻为 1.2Ω,可减少传导损耗 • -530 mA 的连续漏电流允许适度负载驱动 • 典型栅极电荷为 7.7nC,可实现更快的栅极转换 • 额定功耗为 750 mW,可限制热积聚 • 栅极源电压容差为 20 V,可实现稳健的驱动余额
应用
• 适用于自动化系统中的高压负载切换 • 特别适用于控制和电源模块的高侧开关 • 用于电子设计中的反极性保护 • 可用于水平移位栅极驱动电路 • 适用于仪器仪表中的紧凑型电源管理板
可靠运行的热限制是多少?
该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在典型的工业温度范围内使用。
封装如何影响电路板布局?
SOT-23表面贴装封装,带三个引脚和紧凑封装,支持密集组装,并通过放置实现简单的热管理。
设计人员在栅极驱动时应遵守哪些电气限制?
设计人员必须将栅极-源电压限制在 ±20V 范围内,以避免栅极介电应力并确保长期可靠性。
功耗因素应如何影响冷却策略?
设计人员的耗散额定值为 750 mW,应在PCB上提供足够的铜面积或散热片,以保持负载条件下的接线温度。