Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 530 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2325DS-T1-E3, Si2325DS系列

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RS 库存编号:
710-3263
制造商零件编号:
SI2325DS-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

530mA

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

SOT-23

系列

Si2325DS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.2Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.7nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

750mW

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

宽度

1.4 mm

标准/认证

No

高度

1.02mm

长度

3.04mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor