Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 10.9 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4128DY-T1-GE3, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
710-3311
制造商零件编号:
SI4128DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.9A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.03Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.8nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

5W

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21

高度

1.5mm

宽度

4 mm

长度

5mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor