Vishay , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5.3 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI4559ADY-T1-GE3

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RS 库存编号:
710-3345
制造商零件编号:
SI4559ADY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型, N型

最大连续漏极电流 Id

5.3A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOIC

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

72mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

3.4W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

长度

5mm

标准/认证

No

高度

1.5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

双N/P通道MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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