Vishay , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5.3 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI4559ADY-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 710-3345
- 制造商零件编号:
- SI4559ADY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB15.204 | RMB76.02 |
| 25 - 95 | RMB15.022 | RMB75.11 |
| 100 - 245 | RMB14.826 | RMB74.13 |
| 250 - 495 | RMB14.63 | RMB73.15 |
| 500 + | RMB14.43 | RMB72.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3345
- 制造商零件编号:
- SI4559ADY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 72mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 3.4W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.3A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 72mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 3.4W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN