Vishay N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.9 A，5.3 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 710-3345P
- 制造商零件编号:
- SI4559ADY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB15.022 |
| 100 - 245 | RMB14.826 |
| 250 - 495 | RMB14.63 |
| 500 + | RMB14.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3345P
- 制造商零件编号:
- SI4559ADY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A，5.3 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 72 mΩ, 150 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 3.1 W, 3.4 W | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 30 V，14.5 nC @ 30 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 3.9 A，5.3 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 72 mΩ, 150 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 3.1 W, 3.4 W | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 30 V，14.5 nC @ 30 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双N/P通道MOSFET，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor