Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SI7309DN-T1-E3, Si7309DN系列

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710-3386
制造商零件编号:
SI7309DN-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK 1212-8

系列

Si7309DN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.115Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-65°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.5nC

最大功耗 Pd

19.8W

最高工作温度

150°C

长度

3.05mm

标准/认证

IEC 61249-2-21

高度

1.04mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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