Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 6.2 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SI7850DP-T1-E3, Si7850DP系列
- RS 库存编号:
- 710-4764
- 制造商零件编号:
- SI7850DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥47.67
(不含税)
¥53.865
(含税)
有库存
- 另外 2,550 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB9.534 | RMB47.67 |
| 750 - 1495 | RMB9.332 | RMB46.66 |
| 1500 + | RMB9.054 | RMB45.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-4764
- 制造商零件编号:
- SI7850DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | Si7850DP | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.89 mm | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.2A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 Si7850DP | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.8W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.89 mm | ||
高度 1.04mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 4.9mm | ||
汽车标准 否 | ||