Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.9 A, 3针, SOT-23, PMV213SN系列

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presentation
onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=2.7 A, 3针, SOT-23, PowerTrench系列
RS 库存编号
166-1613

个（每带 3000 ）

RMB4,710.00

(不含税)

RMB5,322.30

(含税)

RS 库存编号:
725-8326
制造商零件编号:
PMV213SN,215
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1.9A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-23

系列

PMV213SN

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

2W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7nC

最高工作温度

150°C

宽度

1.4mm

高度

1mm

标准/认证

No

长度

3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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