Nexperia N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=870 mA, 6针, SC-88, Trench MOSFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
725-8329
制造商零件编号:
PMGD280UN,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

870mA

最大漏源电压 Vd

20V

系列

Trench MOSFET

包装类型

SC-88

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

340mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.89nC

正向电压 Vf

0.83V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-8V, +8V

最大功耗 Pd

400mW

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

150°C

高度

1mm

标准/认证

No

宽度

1.35mm

长度

2.2mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MY

双 N 通道 MOSFET，Nexperia


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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