Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 62 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRLB8721PBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:
IRLB8721PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

62A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

9mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

65W

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.83 mm

高度

9.02mm

长度

10.67mm

Distrelec Product Id

304-45-324

汽车标准

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,30V 最大漏极源极电压,62A 最大漏极连续电流 - IRLB8721PBF


这种 MOSFET 是一种高性能开关器件,适用于电子和自动化领域的各种应用。它采用坚固的 TO-220AB 封装,具有 62A 的连续漏极电流容量,可处理 30V 的最大漏极-源极电压。该设备可在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内高效运行,适用于苛刻的环境。

特点和优势


• 支持高频同步降压转换器

• 专为高效使用大电流而设计

• 全面鉴定雪崩电压和电流

• 栅极电荷最小化可提高开关性能

• 多种安装方式可简化设计集成

应用


• 用于 UPS 和逆变器系统

• 适用于高频隔离型 DC-DC 转换器

• 适用于工业解决方案中的同步整流

• 计算机处理器电源的关键部件

设备的低 Rds(on) 有什么意义?


低 Rds(on)大大降低了传导损耗,提高了功率转换应用的整体效率,这对于在大电流运行时保持性能至关重要。

最大栅极阈值电压对器件性能有何影响?


该器件的栅极阈值电压范围为 1.35V 至 2.35V,可确保在各种应用中对器件进行可靠控制,从而灵活地与不同的驱动电路集成。

应用中的热管理应考虑哪些因素?


由于最大功率耗散为 65W,因此必须实施适当的热管理策略,如使用合适的散热片,以防止过热并确保可靠运行。

这种 MOSFET 能否用于汽车应用?


是的,它可以在高温环境下有效运行,因此适合于热变化较大的汽车应用。